调教

       近日，国际顶级光学期刊《Light: Science & Applications》（Nature子刊，影响因子23.4）在线发表我校调教 发光与光信息技术教育部重点实验室重要创新成果—无损直接光刻技术实现图案化QLED显示。调教 为论文唯一完成单位，唐爱伟教授和满忠伟博士为该论文的共同通讯作者，我校硕士研究生陈仲为第一作者。该研究得到了北京市自然科学基金重点研究专题项目、国家重点研发计划课题和国家自然科学基金的支持。

       胶体半导体量子点发光二极管（QLED）凭借其优异的光电性能和溶液加工特性，已成为显示领域的下一代有力竞争者。目前红绿蓝三色QLED器件的效率已接近理论极限，产业化进程加速。然而，VR/AR等新型显示应用对高分辨率量子点阵列提出了更高要求，现有图案化技术如喷墨打印、转移印刷和传统光刻等在分辨率、产量和材料兼容性方面存在局限，特别是传统光刻工艺容易损伤量子点纳米结构导致其光电性能下降。为此，开发高分辨直接光刻技术以保持QLED器件性能成为当前的研究热点。

       为解决上述难题，滕枫/唐爱伟教授团队创新性设计了一种刚性桥联结构的光交联剂CPTA，成功实现了量子点材料在光刻工艺中的无损图案化。采用该技术制备的红光图案化QLED器件的峰值外量子效率（EQE）为21%，与未经图案化的原始器件性能相当。红绿蓝三基色量子点图案化的像素密度高达6350像素/英寸（PPI），最小线宽仅为1微米。这项技术突破了传统光刻技术造成量子点光电性能下降的瓶颈，为下一代高分辨率QLED显示技术的发展提供了关键技术支撑。

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//www.nature.com/articles/s41377-025-01918-7